杏鑫- 官网代理,品牌保障!

ADI晶圆各种材料工艺对应输出功率及频率

发布时间：2021-05-21 17:09:32     浏览：2778

在电子器件中，射频和功率应用是主要的。GaN on SiC、GaN自支撑衬底、GaAs衬底、GaAs on Si主要用于射频半导体(射频前端PA等)，而Gan on Si和SiC衬底主要用于功率半导体(汽车电子学等)。

由于其高功率密度，GaN在基站大功率器件领域具有独特的优势。与硅衬底相比，SiC衬底具有更好的导热特性。目前，工业上95%以上的GaN射频器件使用SiC衬底，如Qorvo是基于SiC衬底的，硅基GaN器件可以在8英寸的晶片上制作，具有更高的成本优势。在功率半导体领域中，SiC衬底与GaN on Silicon的竞争仅占该领域的一小部分。GaN市场主要集中在低压领域，而SiC主要用于高压领域。他们的边界约为600 V。

深圳市立维创展科技有限公司，优势渠道提供ADI晶圆产品Waffle,专业此道，欢迎合作。

详情了解ADI Wafer Products请点击：/brand/68.html

或联系我们的销售工程师：0755-83050846   QQ: 3312069749


 ADI.png

推荐资讯

  • QTCT5703C1T-50.000000温补晶振TCXO Q-Tech
    QTCT5703C1T-50.000000温补晶振TCXO Q-Tech 2024-06-19 09:11:07

    QTCT5703C1T-50.000000是Q-Tech的一款高性能表面贴装温补晶振(TCXO)，专为低压应用设计。它具有50.000000MHz的频率，2.8Vdc至3.3Vdc的供电电压，工作温度范围为-40?C至+85?C。提供±0.5ppm至±2.5ppm的频率稳定性，输出类型可选截断正弦波或CMOS逻辑输出。采用密封陶瓷封装，符合MIL-PRF-55310 3类设备标准，适用于军事和航空电子应用。适用于仪器仪表、导航系统、航空电子设备等多种应用。

  • DEI1282和DEI1284分立数字接口IC
    DEI1282和DEI1284分立数字接口IC 2024-06-13 09:13:22

    DEI1282和DEI1284是8通道分立数字接口IC，用于航空电子系统，能感应并转换八种离散信号为串行逻辑数据。支持TTL/CMOS输入和三态输出，电源电压分别为3.3V和12V至16.5V，封装为16LSOIC EP。DEI1282和DEI1284具备内置测试功能，DEI1282可承受600V应力，DEI1284结合外部电阻和TVS器件提供更高保护。支持高达8.6MHz数据速率，适用于高可靠性和隔离性要求的环境。

在线留言

在线留言
【网站地图】【sitemap】