杏鑫- 官网代理,品牌保障!

英飞凌IPW65R029CFD7 650V CoolMOS? CFD7 SJ功率器件

发布时间：2023-12-28 10:52:52     浏览：1336

英飞凌650 V CoolMOS CFD7 MOSFET IPW65R029CFD7扩展了 CFD7 系列的电压等级产品，是 650 V CoolMOS?? CFD2 的后继产品。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这一新产品系列融合了快速开关技术的所有优势以及卓越的硬换向鲁棒性。

英飞凌采用 TO-247 封装的 650V CoolMOS? CFD7 超结 MOSFET IPW65R029CFD7非常适合工业应用中的谐振拓扑结构，例如服务器、电信、太阳能和电动汽车充电站，与竞争对手相比，它能够显著提高效率。作为CFD2 SJ MOSFET系列的后继产品，它具有更低的栅极电荷、改进的关断行为和更低的反向恢复电荷，可实现最高的效率和功率密度以及额外的50V击穿电压。

英飞凌IPW65R029CFD7 650V CoolMOS? CFD7 SJ功率器件

功能概要

? 超快体二极管和极低的 Qrr

? 650V击穿电压

? 与竞争产品相比，开关损耗显著降低

? 最低的 RDS(on) 随温度变化的依赖性


好处

? 出色的硬换向坚固性

? 为总线电压增加的设计提供额外的安全裕度

? 提高功率密度

? 在工业SMPS应用中具有出色的轻载效率

? 提高工业SMPS应用中的满载效率

? 与市场上的替代产品相比，具有价格竞争力


应用

? 电动汽车快速充电

? 服务器电源

? 太阳能系统解决方案

? 电信基础设施

深圳市立维创展科技有限公司，优势分销Infineon英飞凌部分产品线，快速交付，欢迎联系。

推荐资讯

  • ADI Turnkey Known Good Die (KGD)
    ADI Turnkey Known Good Die (KGD) 2020-12-04 15:32:25

    ADI从2006年年中开始提供已知良好的裸片(KGD)。ADI的KGD工艺允许以模具的形式装运产品，以满足极高的质量和可靠性标准。KGD的目标是为模具提供完整的产品规格(快速功能测试、老化过程和PM级缺陷)，以满足完整的产品规格(快速功能测试、老化过程和PM级缺陷)。众所周知的良好模具制造工艺是客户应用零缺陷的理想解决方案。

  • 440LS10-R陶瓷盘EMI抑制电容器VISHAY
    440LS10-R陶瓷盘EMI抑制电容器VISHAY 2024-07-09 09:12:49

    440LS10-R 是一款由VISHAY生产的高性能陶瓷盘EMI抑制电容器，符合IEC 60384-14标准，湿度等级为IIIB。具有高可靠性、径向引线、高电容值可达20 nF，适用于交流电路中的安全应用。主要用于X1, Y1类电容器，线路到线路和线路到地过滤，以及开关电源中的耦合应用。陶瓷盘结构，两侧银镀层，引线采用镀锡铜线，直径0.81毫米，间距9.5毫米。电容范围10 pF到20 nF，额定电压X1类760 VAC，Y1类500 VAC，介电强度工厂测试4000 VAC，绝缘电阻最小1000 MΩ，损耗因子最大2.0%，使用温度范围-30 °C到+125 °C。

在线留言

在线留言
【网站地图】【sitemap】