杏鑫- 官网代理,品牌保障!

LS26VPS/VNS新型JFET压控电阻器Linear Systems

发布时间：2024-02-17 09:30:41 浏览：1506

Linear Systems 扩展了其 JFET 压控电阻器 (VCR) 系列，用于基于 IC 的器件的低功耗电路。JFET压控电阻器系列新增的两款产品包括LS26VNS单N沟道JFET VCR和LS26VPS单P沟道JFET VCR。N 和 P 沟道版本均由相同的芯片几何形状制成，因此具有互补性。它们是现有VCR11N双N通道的补充。将VCR用于压控放大器或压控增益系统的优点包括：

· 基于 VCR 的设备以较低的电压和功耗运行，使电池供电系统的使用寿命显著延长。

· VCR JFET可与低功耗运算放大器配合使用，为电压控制增益系统提供低功耗解决方案。

对于 LMV358 或 TLC272 等低压运算放大器，VCR JFET 用于在极低的电源电压(如 +/- 2 V、+ 5 V，甚至低至 3.3 V)的单个电源下执行电压控制增益。当JFET VCR包含低电压、低功耗运算放大器时，电路可以设计为非常低功耗。例如，将LSK389A用作这些低压电路的VCR。

匹配的JFET VCR(VCR11N或LSK389A)可以提供两个相同的电压控制增益通道，其中两个通道的控制电压跟踪。这可用于立体声音频信号衰减器。

典型的有源压控放大器消耗更多的电流，并且需要更高的最小电源电压，专用电压控制放大器集成电路至少需要 +/- 4 伏。

包括J177在内的P沟道JFET可以设计为具有单个A电源的VCR电路。例如，P沟道JFET VCR电路非常适合正电源电压，因为它对栅极的控制电压也是正电压。

LS26VPS/VNS新型JFET压控电阻器Linear Systems

LS26VNS N 沟道单 JFET VCR 具有漏源电阻，该电阻由施加到高阻抗栅极端子的直流偏置电压 (VGS) 控制。当VGS = -1.0V时，最小RDS为14 Ω。当VGS接近时，-6.0V RDS的夹断电压迅速增加到最大值，即RDS = 38 Ω。

LS26VPS P 沟道单 JFET 压控电阻器具有漏源电阻，该电阻由施加到高阻抗栅极端子的直流偏置电压 (VGS) 控制。当VGS = 3.0V时，最小RDS为20 Ω。当VGS接近7.5V的夹断电压时，RDS迅速增加到最大值或RDS = 50 Ω。

特征描述：

LS26VNS(N 通道单通道)

RDS(on) 14-38欧姆

BVgss 30 伏

TO-92 3L、SOT-23 3L、DFN 8L、裸片

LS26VPS(P 通道单通道)

RDS(on) 20-50欧姆

BVgss 30 伏

TO-92 3L、SOT-23 3L、DFN 8L、裸片

应用：

可变增益控制

压控振荡器

信号衰减器

音乐效果应用

自适应模拟滤波器

自动增益控制电路

时钟发生器

压缩机

静电计

能量收集器

扩展器

助听器

调光器

调制器

搅拌机

人工神经网络

可编程增益放大器

相控阵

锁相环

相控调光电路

相位延迟和提前电路

可调谐滤波器

可变衰减器

压控多谐振荡器

波形发生器

相关推荐：

LSK389超低噪声单芯片双通道N沟道JFET

LSK170系列超低噪声JFET可替代东芝2SK170

更多Linear Systems 相关产品信息可咨询立维创展。

上一篇: 如何选择LP OCXO低功耗晶体振荡器厂家？

下一篇: HI-1587超低功耗MIL-STD-1553双收发器HOLTIC

在线留言

在线留言

【网站地图】【sitemap】