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  • Infineon英飞凌FF11MR12W2M1HP_B11碳化硅MOSFET�？�

    发布时间：2024-03-05 11:33:44     浏览：1664

    Infineon英飞凌 EasyDUAL 2B (易双双? 2B) CoolSiC? MOSFET系列晶体管半桥�？槭且豢�1200V的高性能产品，具有11 mΩ G1的极低电阻，集成了NTC温度传感器、PressFIT压接接触技术和预涂热界面材料。

    Infineon英飞凌FF11MR12W2M1HP_B11碳化硅MOSFET�？�

    **特征描述**：

    - 封装高度为12mm，具备一流的封装设计。

    - 使用前沿的WBG材料(宽禁带能带材料)。

    - �？槟诓康脑由⒌绺泻艿停兄谔岣咝阅�。

    - 采用增强型CoolSiC? MOSFET Gen 1技术。

    - 扩大的栅极驱动电压窗口。

    - 栅源电压范围为+23 V 和 -10 V。

    - 在高达175°C的过载条件下，具备出色的TVJOP(结温钳位)性能。

    - 使用PressFIT压接针进行连接。

    - 集成了NTC温度传感器。

    **优势**：

    - 出色的组件效率，能够提供高效的工作表现。

    - 具备系统成本优势，可降低整体开销。

    - 提高系统效率，使系统更加节能。

    - 降低冷却要求，减少散热需求。

    - 支持实现更高的工作频率。

    - 提高功率密度，实现更小体积的设计。

    **应用领域**：

    - 不间断电源(UPS)。

    - 储能系统。

    - 电动汽车快速充电。

    - 燃料电池DC/DC升压转换器。

    - 太阳能系统解决方案。

    参数：

    参数FF11MR12W2M1HP_B11
    应用储能系统 ; 电动汽车充电器 ; UPS不间断电源 ; 太阳的
    配置半桥
    尺寸（长度）62.8 毫米
    尺寸（宽度）48 毫米
    特征PressFIT ; TIM
    HousingEasy 2B
    资格工业
    RDS（开）（@ Tj = 25°C）10.8毫安

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