杏鑫- 官网代理,品牌保障!

    • JANTX1N6101低电容二极管阵列Microsemi

    发布时间：2024-11-21 09:56:12     浏览：1350

    　　1N6101是一款低电容二极管阵列，由多个独立的隔离结构成，采用平面工艺制造，并封装在16引脚的DIP(双列直插式封装)中。这些二极管用于保护多达八个I/O端口免受ESD(静电放电)、EFT(电快速瞬变)或浪涌的影响，通过将它们导向电源线的正极或接地。可以在外接TVS(瞬态电压抑制)二极管以防止电源线上的过电压。此外，它们也可用于快速开关核心驱动器应用，包括计算机和外围设备，如磁芯、薄膜存储器、镀线存储器等，以及解码或编码应用。这些阵列提供了集成电路的许多优势，如高密度封装和提高的可靠性，这是由于减少的放置操作、更小的占用空间、更轻的重量以及消除了各种可能不利于PCB安装的离散封装。

    JANTX1N6101低电容二极管阵列

    　　特点：

    　　密封陶瓷封装

    　　隔离二极管以消除串扰电压

    　　高击穿电压VBR > 75V在5μA时

    　　低漏电流IR < 100nA在40V时

    　　低电容C < 4.0pF

    　　开关速度小于10纳秒

    　　根据MIL-PRF-19500/474提供JAN、JANTX、JANTXV等筛选选项

    　　应用/优点：

    　　高频数据线

    　　RS-232和RS-422接口网络

    　　以太网：10 Base T

    　　计算机I/O端口

    　　局域网(LAN)

    　　开关核心驱动器　　

    　　最大额定值：

    　　反向击穿电压：75V

    　　连续正向电流：300mA直流电

    　　峰值浪涌电流(tp=1/120秒)：500mA直流电

    　　每个结点400mW功率耗散@25°C

    　　每个封装600mW功率耗散@25°C

    　　工作结温范围：-65°C至+150°C

    　　存储温度范围：-65°C至+200°C

    　　机械和封装：

    　　16引脚陶瓷DIP

    　　重量：约2.09克

    　　标记：标志、零件编号、日期代码

    　　引脚#1位于封装顶部凹槽左侧

    　　电气特性(每个二极管)@25°C，除非另有说明：

    　　最大正向电压VF1：100mA时

    　　最大反向电流IR1：40V时

    　　最大反向电流IR2：20V时

    　　最大电容(引脚到引脚)Ct：0V时，1MHz频率下

    　　最大正向恢复时间tfr：100mA时

    　　最大反向恢复时间trr：10mA直流电时，1mA直流电时，RL=100欧姆

    JANTX1N6101低电容二极管阵列Microsemi尺寸

    Microsemi 是美国高可靠性电子元器件厂商，其军级二三级管产品，被广泛应用于全球高端市�。钲谑�立维创展科技有限公司，授权代理销售Microsemi军级二三级产品，大量原装现货，欢迎咨询。

    推荐资讯

    • FMCE-1528 EMI滤波器Interpoint
      FMCE-1528 EMI滤波器Interpoint 2024-10-30 08:56:33

      Interpoint? FMCE-1528 EMI滤波器专为降低高频DC-DC转换器的输入纹波电流设计，符合军用标准MIL-STD-461C/D/E/F。它在紧凑封装中提供高达15A的电流，工作温度范围为-55°C至+125°C，输入电压范围为0.5至50V，能有效减少500 kHz和1 MHz时的噪声，典型衰减达70 dB。

    • SiC MOSFET与Si IGBT对比：SiC MOSFET的优势
      SiC MOSFET与Si IGBT对比：SiC MOSFET的优势 2023-12-14 09:45:07

      随着自动化制造、电动汽车、先进建筑系统和智能家电等行业的发展，对提高这些机电设备的控制、效率和功能的需求也在增长。本文探讨了碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)的突破如何重新定义了历来使用硅IGBT(Si IGBT)进行功率逆变的电动机的能力。这项创新扩展了几乎每个行业的电机驱动应用的能力。

    在线留言

    在线留言
    【网站地图】【sitemap】