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Solitron Devices SMF460 650V N沟道功率MOSFET

发布时间：2024-12-30 08:51:50     浏览：429

Solitron Devices SMF460 650V N沟道功率MOSFET

　　Solitron Devices SMF460这款MOSFET适用于需要高电压和高电流的应用，如电源转换器、电机驱动器和高功率开关电路。

　　关键特性：

　　连续漏极电流 (ID)：10A

　　导通电阻 (RDS(on))：300mΩ

　　快速恢复二极管：内置

　　雪崩额定：能够承受高能量脉冲

　　封装：TO-254 密封封装

　　背面隔离：提供额外的绝缘

　　筛选：JANTX, JANTXV 筛选可用

　　绝对最大额定值(TC = 25°C，除非另有说明)：

　　漏源电压 (VDSmax)：650V

　　栅源电压 (VGSM)：±30V(瞬态)

　　栅源电压 (VGSS)：±20V(连续)

　　连续漏极电流 (ID25)：10A

　　脉冲漏极电流 (ID(PULSE))：40A(脉冲宽度Tp受TJmax限制)

　　功率耗散 (PD)：116W

　　结温范围，工作/存储 (TJ/TSTG)：-55°C至150°C

　　电气规格(TJ = 25°C，除非另有说明)：

　　体二极管正向电压 (VSD)：1.4V(当IS = 10A, VGS = 0V)

　　漏源击穿电压 (V(BR)DSS)：650V

　　栅阈值电压 (VGS(th))：3至5V

　　关态漏极电流 (IDSS)：10?A(在VDS = 650V, VGS = 0V, T = 25°C)

　　栅源漏电流 (IGSS)：±100nA(在VGS = ±20V, VDS = 0V)

　　漏源导通电阻 (RDS(on))：260至300mΩ(在VGS = 10V, ID = 6A, TJ = 25°C)

　　跨导 (Gfs)：6.5S(在VDS = 10V, ID = 6A, TJ = 25°C)

　　总栅电荷 (Qg(on), Qgs, Qgd)：17, 4.7, 6.1nC(在VGS = 10V, VDS = 325V, ID = 6A)

　　开关时间 (td(on), tr, td(off), tf)：23, 24, 47, 15ns(在VDD = 325V, ID = 6A, RG = 4.3Ω)

　　热阻 (RthJC)：1.08°C/W

更多Solitron Devices SiC MOSFET相关产品信息可咨询立维创展。

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