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vishay CBB3100BLGKWS薄膜二进制MOS电容芯片

发布时间：2025-03-18 09:14:46 浏览：327

　　Vishay CBB 和 CBC 是薄膜二进制 MOS 电容芯片，每片芯片包含五个不同容量的电容，以二进制增量排列，为用户提供了多种容量选择。这些芯片采用 Vishay Electro-Films 先进的薄膜设备和制造技术生产，并经过 100% 电气测试和目视检查，符合 MIL-STD-883 标准。

vishay CBB3100BLGKWS薄膜二进制MOS电容芯片

　　特性

　　可键合性：支持线键合。

　　用户容量选择：芯片上有五个电容，容量以二进制增量排列。

　　芯片尺寸：

　　CBB：0.019" x 0.048"(0402 封装)

　　CBC：0.044" x 0.044"(0404 封装)

　　容量范围：CBB 最高 31 pF，CBC 最高 93 pF。

　　介质材料：二氧化硅(Silicon Dioxide)。

　　低介质损耗。

　　基底材料：半导体硅，背面镀金。

　　应用场景

　　CBB 和 CBC 二进制 MOS 多值电容芯片设计用于通过常规线键合技术添加或减去电容，以调整混合电路。

　　电气规格

参数	CBB	CBC	单位
总容量	最高 31 pF	最高 93 pF	pF
容量值	1, 2, 4, 8, 16 pF	3, 6, 12, 24, 48 pF	pF
容差	±10%	±10%	%
直流工作电压	75 V	75 V	V
最大工作电压	75 V	75 V	V
峰值电压（+25°C）	1.5 x 工作电压	1.5 x 工作电压	V
损耗因数（1 kHz, 1 VRMS, +25°C）	0.10%	0.10%	%
Q 值（1 mHz, 50 mVRMS, +25°C）	最小 1000	最小 1000	-
温度系数（-55°C 至 +150°C）	+15 ± 25 ppm/°C	+15 ± 25 ppm/°C	ppm/°C
绝缘电阻（工作电压，+25°C）	最小 10^9 Ω	最小 10^9 Ω	Ω
工作温度范围	-55°C 至 +150°C	-55°C 至 +150°C	°C

　　机械规格

参数	CBB	CBC
芯片尺寸	0.019" x 0.048" ± 0.002"（0.48 mm x 1.2 mm ± 0.05 mm）	0.044" x 0.044" ± 0.002"（1.1 mm x 1.1 mm ± 0.05 mm）
芯片厚度	0.010" ± 0.002"（0.254 mm ± 0.05 mm）	0.010" ± 0.002"（0.254 mm ± 0.05 mm）
芯片基底材料	半导体硅	半导体硅
介质材料	二氧化硅（MOS）	二氧化硅（MOS）
键合垫	最小 10 k? 铝（可选金）	最小 10 k? 铝（可选金）
背面材料	最小 3 k? 金	最小 3 k? 金

订购指南：

　　部分型号：

　　CBB1153100BKWS

　　CBB3100BKAHWS

　　CBB3100BKGKWS

　　CBB6200BKAHWS

　　CBC6200BKAHWS

　　CBC6200BKGHWS

　　CBC9300BKAHWS

　　CBC9300BKGHWS

　　CBC9300BKGKWS

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