杏鑫- 官网代理,品牌保障!



Linear Systems J201高增益N沟道JFET

发布时间：2025-09-02 08:39:36     浏览：3110

　　Linear Systems J201高增益N沟道JFET，低噪声信号链设计，适用于高增益、低功耗或高阻抗放大器场景。

Linear Systems J201高增益N沟道JFET

　　J201关键特性

　　优点

　　高输入阻抗：减少信号源负载效应。

　　低截止电压：适合低电压应用(如电池供电)。

　　低噪声：适用于音频和传感器信号放大。

　　封装选项

　　TO-92(直插)：低成本，传统封装。

　　SOT-23(贴片)：表面安装，适合自动化组装。

　　提供卷带包装(Tape-and-Reel)及裸片(Die)形式。

　　典型应用场景

　　电池供电放大器

　　传感器抗极化电路

　　音频前置放大器

　　红外探测器放大器

　　相移振荡器

　　电流限制器

　　低/高源阻抗电路的低频噪声抑制

　　电气特性与工作原理

　　N沟道JFET结构

　　N型材料：作为栅极(Gate)。

　　P型材料：两端分别为漏极(Drain)和源极(Source)，可互换。

　　偏置与工作模式

　　开启条件：漏极电压(+VDD)为正，栅极电压(VG=0V)时电流最大。

　　关闭条件：负栅极电压减少电流直至截止(OFF区)。

　　增益特性：增益随栅极负电压增加而降低。

　　开关行为

　　ON状态：低导通电阻(近似短路)。

　　OFF状态：极高电阻(近似开路)。

　　开关速度：由栅极电容和RC时间常数决定。

　　N沟道JFET特性曲线：

N沟道JFET特性曲线：

立维创展优势代理Linear Systems产品，价格优惠，欢迎咨询。

推荐资讯

  • Ampleon BLA6H0912-500 LDMOS航空电子雷达功率晶体管
    Ampleon BLA6H0912-500 LDMOS航空电子雷达功率晶体管 2025-04-14 09:26:23

    Ampleon 的 BLA6H0912-500 LDMOS 功率晶体管专为航空电子发射机设计，适用于 960 MHz 至 1215 MHz 频段的 Mode-S、TCAS、JTIDS、DME 和 TACAN 等系统。该器件具有 高功率控制灵活性、集成 ESD 保护、脉冲格式兼容性、高耐用性、高效率及优秀的热稳定性，并支持宽带操作和内部匹配，简化设计流程。同时，它符合 RoHS（2002/95/EC） 环保标准，适用于航空电子雷达等严苛环境。

  • C4H2350N10 - 10W GaN封装功率晶体管Ampleon
    C4H2350N10 - 10W GaN封装功率晶体管Ampleon 2024-11-29 08:54:42

    C4H2350N10是一款专为基站应用设计的10瓦特GaN功率晶体管，适用于2.3-2.7 GHz频段的移动宽带应用。其特点包括出色的数字预失真能力、高效率、宽带操作、低输出电容，并符合RoHS环保标准。该产品主要用于基站射频功率放大器和多载波应用，频率范围为2300 MHz至5000 MHz，具备10W的标称输出功率、18.9dB的功率增益和15.5%的漏效率。

在线留言

在线留言
【网站地图】【sitemap】