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MICRON DDR2 内存

发布时间：2021-07-09 17:01:56 浏览：1662

MICRON在技术创新内存和存储解决方案领域出现全球现实，状况MICRON方案加快了数据信息智能化的转换，鼓励着全球以解决速率学习培训、沟通交流和进步。MICRON提供世界上最广泛的技术应用组合，作为当今社会最重要的突发性突破的核心理念，如人工智能技术和自动驾驶汽车。

MICRON DDR2 内存

Width：x8, x16

Voltage：1.8V

Package：FBGA

Clock Rate：400 MHz

Op. Temp：0C to +85C, -40C to +95C, -40C to +105C, -40C to 125C

深圳市立维创展科技有限公司，以库存MICRON高可靠性内存颗粒芯片和工业级内存条为特色产品优势。欢迎咨询合作。

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MICRON (2).png

功能/选项	DDR2	DDR3	DDR3优势
电压（内核和 I/O）	1.8V	1.5V	降低内存系统电源需求
标准低压选项	不	是 (1.35V)	提供与 1.5V 标准 DDR3 匹配的低电压 DDR2
密度（生产）	256Mb 至 4Gb	1Gb 至 4Gb	高密度组件以更少的芯片数量实现大内存子系统
预�。�MIN WRITE 突发）	4 位	8 位	降低核心速度依赖性以提高产量
t CK - DLL 已启用	125 兆赫至 400 兆赫	300 兆赫至 800 兆赫	支持更高的数据速率
数据速率（每针 MT/s）	533、667、800 Mb/s	800,1066,1333,1600 Mb/s	迁移到更高的数据带宽
突发长度 (BL)	BL4、BL8	BC4、BL8	BC4 减轻了一些“BL8”要求
突发类型	固定，通过 LMR	(1) 固定，通过 MRS (2) OTF，“即时”	OTF 允许在没有 MRS 命令的情况下在 BC4 和 BL8 之间切换
数据选通	差分或单端	仅差速器	通过减少选通串扰提高系统时序裕度
ODT（芯片端接）	R TT : 50, 75, 150 欧姆	R T T : 20,30,40,60,120 欧姆	更多 ODT 选项可提高信号保真度并支持更高的数据速率
动态 ODT	没有任何	120, 60 欧姆	改进了多个时隙中的信令；点对点应用中的引脚减少
DQ 驱动器阻抗	18 欧姆	34 欧姆	针对 2 插槽和点对点系统进行了优化
驱动器/ODT 校准	没有任何	外接电阻	提高电压和温度范围内的精度
多用途寄存器 (MPR)	没有任何	四个寄存器 - 1 个定义 3 个 RFU	支持读取校准
写调平	没有任何	DQS 捕获 CK，DQ 驱出 CK 的状态	校正模块使用的飞越布局
�？�	240 针 SODIMM（无缓冲、寄存、全缓冲） 200 针 SODIMM	240 针 UDIMM；RDIMM、FBDIMM 待定； 204 针 SODIMM	改进的布局、更多的外形和供电设计；DDR3 也采用了 fly-by 架构
芯片组支持	Legacy	最新的	较新的芯片组功能
附加延迟	是的	是的	具有 CAS 延迟的曲目

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