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Infineon英飞凌JANSR2N7626UBN单P沟道抗辐射MOSFET

发布时间：2024-04-11 09:25:34     浏览：674

　　Infineon英飞凌JANSR2N7626UBN这款单P沟道MOSFET产品具备多种出色的特性和应用。它拥有抗辐射能力，能够承受高达100 krad(Si)TID的辐射水平。在电气性能上，该产品具有-60V的电压等级和-0.53A的输出电流。其采用单通道设计，同时提供P沟道功能，以及UB封装-UBN的封装形式。

Infineon英飞凌JANSR2N7626UBN单P沟道抗辐射MOSFET

　　此外，JANSR2N7626UBN还具有多种显著特性，如单粒子效应(SEE)强化、5V CMOS和TTL兼容性、快速切换能力、低总浇口电荷、简单的驱动要求以及密封设计。它采用表面贴装方式，具有重量轻的优点，并且提供了互补的N沟道型号，如IRHLUB770Z4、IRHLUBN770Z4、IRHLUBC770Z4和IRHLUBCN770Z4。此外，该产品还具有0级的ESD等级，符合MIL-STD-750方法1020标准。

　　在应用领域方面，JANSR2N7626UBN单P沟道MOSFET适用于多种场景，包括用于FPGA、ASIC和DSP内核轨的负载点(PoL)转换器、同步整流、有源ORing电路、配电电路以及负载开关等。

　　产品型号：

Part numberPackageScreening LevelTID Level
RHLUB7970Z4UBCOTS100 krad(Si)
JANSR2N7626UBUBJANS100 krad(Si)
RHLUB7930Z4UBCOTS300 krad(Si
JANSF2N7626UBUBJANS300 krad(Si
RHLUBN7970Z4UBNCOTS100 krad(Si)
JANSR2N7626UBNUBNJANS100 krad(Si)
RHLUBN7930Z4UBNCOTS300 krad(Si)
JANSF2N7626UBNUBNJANS300 krad(Si)
RHLUBC7970Z4UBCCOTS100 krad(Si)
JANSR2N7626UBCUBCJANS100 krad(Si)
RHLUBC7930Z4UBCCOTS300 krad(Si)
JANSF2N7626UBCUBCJANS300 krad(Si)
RHLUBCN7970Z4UBCNCOTS100 krad(Si)
JANSR2N7626UBCNUBCNJANS100 krad(Si)
RHLUBCN7930Z4UBCNCOTS300 krad(Si)
JANSF2N7626UBCNUBCNJANS300 krad(Si)

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