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Vishay SIS626DN-T1-GE3 N沟道25V MOSFET

发布时间：2024-05-16 09:31:15     浏览：517

　　Vishay Siliconix的SIS626DN-T1-GE3是一款N沟道25V MOSFET，它采用了TrenchFET技术，使得该MOSFET具有高效率和低导通电阻的特点。产品封装为PowerPAK1212-8，并且适用于多种应用，如适配器开关和负载开关，尤其是在高侧开关功能中表现优异。

Vishay SIS626DN-T1-GE3 N沟道25V MOSFET

　　产品特性方面，SIS626DN-T1-GE3在Vgs=10V时的漏源电压(VDs)为25V，具有较低的导通电阻(Rds(on))，其值在不同Vgs条件下有所不同，例如在Vgs=10V时为0.0115Ω。此外，该MOSFET的栅极电荷(Qg Typ.)为16.9*100% Rg，栅极电流限制能力(Typ.)为16.9 A/μs，这些参数体现了其优越的开关性能。

　　在绝对最大额定值方面，SIS626DN-T1-GE3在25°C下的连续漏极电流(ID)为15.1A，而在70°C下为11.7A。其脉冲漏极电流(IDM)可达32A，表明该MOSFET能够处理较高的瞬态电流。此外，它还具有良好的热性能，最大结到环境温度的热阻(RhJA)在典型和最大值下分别为28°C/W和34°C/W。

ABSOLUTE     MAXIMUM     RATINGS     (TA=25℃,unless     otherwise     noted)
PARAMETERSYMBOLLIMITUNIT
Drain-Source VoltageVDs25V
Gate-Source VoltageVas±12
Continuous Drain Current (Tj=150℃)Tc=25℃lp169A
Tc=70℃169
TA=25℃15.1 a,b
TA=70*℃11.7 a,b
Pulsed Drain Current (t =100 μsDM32
Continuous Source-Drain Diode CurrentTc=25 ℃ls169
TA=25℃3.1 a,b
Single Pulse Avalanche CurrentL=0.1  mHlAs20
Single Pulse Avalanche EnergyEAS20mJ
Maximum Power DissipationTc=25℃PD52W
Tc=70℃33
TA=25℃3.7 a,b
TA=70°℃2.4 a,b
Operating Junction and Storage Temperature RangeT」,Tst-55 to +150℃
Soldering Recommendations (Peak Temperature)c,d
260

THERMAL       RESISTANCE       RATINGS
PARAMETERSYMBOLTYPICALMAXIMUMUNIT
Maximum Junction-to-Ambient a,et≤10 sJA2834C/W
Maximum Junction-to-Case (Drain)Steady StateC22.4

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