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Solitron Devices SD11461 N通道功率MOSFET

发布时间：2025-04-09 09:17:48     浏览：158

Solitron Devices SD11461 N通道功率MOSFET

　　SD11461 是一款由 Solitron Devices 生产的 N 通道功率 MOSFET，以下是其详细介绍：

　　基本特性

　　电压与电流：漏源极电压(VDS)为 100V，连续漏极电流(ID)在 25°C 时为 35A。

　　导通电阻：在 25°C、10V 栅源电压和 30A 漏极电流条件下，漏源导通电阻(RDS(on))典型值为 25mΩ。

　　封装：提供 TO-258 和 TO-254 3 引脚封装，具有低热阻，适合高功率应用。

　　性能特点

　　快速开关能力：优化了开关速度，适用于高频应用，如开关电源和 DC-DC 转换器。

　　高功率耗散能力：最大功耗为 147W，能够承受较高功率。

　　温度范围：工作和存储温度范围为 -55°C 至 +150°C，适合恶劣环境。

　　封装优势：采用密封隔离封装，具有良好的可靠性和抗干扰能力。

　　应用领域

　　电源管理：用于开关模式和共振模式电源、DC-DC 转换器、功率因数校正(PFC)电路。

　　电机驱动：适用于 AC 和 DC 电机驱动，以及机器人和伺服控制系统。

　　高频应用：快速开关特性使其适合高频电源转换和控制。

　　电气特性

　　阈值电压：栅极阈值电压(VGS(th))范围为 2.0V 至 4.0V。

　　漏极电流：在 25°C 和 100V 漏源电压下，漏极电流(IDSS)为 5.0?A。

　　栅极漏电流：在 ±20V 栅源电压下，栅极漏电流(IGSS)为 ±100nA。

　　导通电阻：在 10V 栅源电压和 30A 漏极电流下，漏源导通电阻(RDS(on))范围为 20mΩ 至 40mΩ。

　　电容特性：输入电容(Ciss)为 4300pF，输出电容(Coss)为 450pF，反向转移电容(Crss)为 175pF。

　　开关时间：开启延迟时间(td(on))为 15ns，上升时间(tr)为 12ns，关闭延迟时间(td(off))为 47ns，下降时间(tf)为 12ns。

　　栅极电荷：总栅极电荷(Qg)为 87nC。

　　二极管特性

　　源极电流：连续源极电流(Is)为 35A，脉冲源极电流(sm)为 100A。

　　正向电压：在 30A 漏极电流下，源极二极管正向电压(Vsd)范围为 1V 至 1.5V。

　　反向恢复时间：在 10A 漏极电流和 100A/?s 的 di/dt 下，反向恢复时间(trr)范围为 89ns 至 120ns。

　　尺寸与封装

　　TO-258 封装：具有较大的散热片和引脚，适合高功率应用。

　　TO-254 封装：尺寸较�。屎辖舸招蜕杓�。

SD11461封装尺寸

更多Solitron Devices SiC MOSFET相关产品信息可咨询立维创展。

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