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    供应Connor-Winfield温度补偿晶体振荡器TCXO

    发布时间：2023-12-20 16:04:44     浏览：709

    　　TCXO是温度补偿晶体振荡器(Temperature Compensated Crystal Oscillator)的简称，它是一种用于精确时钟信号和频率稳定性的电子元件。Connor-Winfield是一家美国公司，专门生产和提供各种类型的晶体振荡器和时钟产品。

    　　温度补偿晶体振荡器(TCXO)是为了解决普通晶体振荡器在不同温度下频率漂移的问题而设计的。一般来说，普通的晶体振荡器在温度变化时会导致频率的偏移，而TCXO通过使用温度传感器和相应的补偿电路来调整振荡器的频率，以实现温度稳定性。这样就可以在不同的环境温度下保持较为准确和稳定的振荡频率。

    　　Connor-Winfield的TCXO产品具有高精度、低相噪声、高稳定性等特点，可广泛应用于通信设备、卫星导航系统、无线电设备、工业自动化等领域。封装类型具有Clipped Sine 和/或HCMOS输出和商业到扩展或 工业温度范围。

    　　产品选型：

    　　3.2x2.5mm 表面贴装型

    零件编号产品类型逻辑系列封装频率稳定性频率容差频率校准电源电压频率范围温度范围拉力范围关键词
    C1x 系列
    		TCXO系列Clipped SinewaveSM 3.2x2.5毫米+/-0.5ppm 至 +/-2.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm2.5 Vdc10 MHz 至 40 MHz-30 至 85°C不适用低成本
    C3x 系列
    		TCXO系列Clipped SinewaveSM 3.2x2.5毫米+/-0.5ppm 至 +/-2.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc10 MHz 至 40 MHz-30 至 85°C不适用低成本
    CAx 系列
    		TCXO系列Clipped SinewaveSM 3.2x2.5毫米+/-0.5ppm 至 +/-2.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm2.8 Vdc10 MHz 至 40 MHz-30 至 85°C不适用低成本
    D32G
    		TCXO系列Clipped SinewaveSM 3.2x2.5毫米+/-0.5ppm不适用+/-1.0ppm3.3 Vdc16.368MHz、19.2MHz、26MHz、32.736MHz-30 至 85°C不适用低成本


    　　5x3.2mm 表面贴装型

    零件编号产品类型逻辑系列封装频率稳定性频率容差频率校准电源电压频率范围温度范围拉力范围关键词
    D53G
    		TCXO系列Clipped SinewaveSM 5x3.2毫米+/-0.5ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc20 兆赫、26 兆赫-30 至 85C不适用不适用
    M100F
    		TCXO系列LVCMOS公司SM 5x3.2毫米+/-100ppb+/-3.0ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc10 MHz、12.8 MHz、19.2 MHz、19.44 MHz、20 MHz、24.576 MHz 和 40 MHz0 至 70C不适用不适用
    M170F
    		TCXO系列LVCMOS公司SM 5x3.2毫米+/-100ppb+/-3.0ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc10 MHz、12.8 MHz、19.2 MHz、19.44 MHz、20 MHz、24.576 MHz 和 40 MHz-20 至 70C不适用不适用
    M200F
    		TCXO系列LVCMOS公司SM 5x3.2毫米+/-200ppb+/-3.0ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc10 MHz、12.8 MHz、19.2 MHz、19.44 MHz、20 MHz、24.576 MHz 和 40 MHz-40 至 85C不适用不适用
    M30x
    		TCXO系列LVCMOS/Clipped SinewaveSM 5x3.2毫米+/-0.28ppm+/-4.6ppm不适用3.3 Vdc6.4 至 40 MHz0 至 85C不适用第 3 层
    M31x TCXO 系列
    		TCXO系列LVCMOS/Clipped SinewaveSM 5x3.2毫米+/-0.5ppm+/-4.6ppm不适用3.3 Vdc6.4 至 40 MHz0 至 85C不适用固定频率
    M32x TCXO 系列
    		TCXO系列LVCMOS/Clipped SinewaveSM 5x3.2毫米+/-1.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 至 40 MHz0 至 85C不适用固定频率
    M4 TCXO 系列
    		TCXO系列Clipped SinewaveSM 5x3.2毫米+/-0.5ppm 至 +/-2.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm2.5 Vdc6.4 至 40 MHz-30 至 85C不适用固定频率
    M50 TCXO 系列
    		TCXO系列LVCMOS/Clipped SinewaveSM 5x3.2毫米+/-0.28ppm+/-4.6ppm不适用3.3 Vdc6.4 至 40 MHz0 至 70C不适用第 3 层
    M51 TCXO 系列
    		TCXO系列LVCMOS/Clipped SinewaveSM 5x3.2毫米+/-0.5ppm+/-4.6ppm不适用3.3 Vdc6.4 至 40 MHz0 至 70C不适用固定频率
    M52 TCXO 系列
    		TCXO系列LVCMOS/Clipped SinewaveSM 5x3.2毫米+/-1.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 至 40 MHz0 至 70C不适用固定频率
    M60 TCXO 系列
    		TCXO系列LVCMOS/Clipped SinewaveSM 5x3.2毫米+/-0.28ppm+/-4.6ppm不适用3.3 Vdc6.4 至 40 MHz-40 至 85C不适用国际电联
    M61 TCXO 系列
    		TCXO系列LVCMOS/Clipped SinewaveSM 5x3.2毫米+/-0.5ppm+/-4.6ppm不适用3.3 Vdc6.4 至 40 MHz-40 至 85C不适用固定频率
    M62 TCXO 系列
    		TCXO系列LVCMOS/Clipped SinewaveSM 5x3.2毫米+/-1.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 至 40 MHz-40 至 85C不适用固定频率
    M632TCXO系列LVCMOS公司SM 5x3.2毫米+/-2.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc10 至 50 MHz-40 至 85C不适用不适用
    M7 TCXO 系列TCXO系列Clipped SinewaveSM 5x3.2毫米+/-0.5ppm 至 +/-2.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 至 40 MHz-30 至 85C不适用固定频率
    M70 TCXO 系列
    		TCXO系列LVCMOS/Clipped SinewaveSM 5x3.2毫米+/-0.28ppm+/-4.6ppm不适用3.3 Vdc6.4 至 40 MHz-20 至 70C不适用国际电联
    M71 TCXO 系列
    		TCXO系列LVCMOS/Clipped SinewaveSM 5x3.2毫米+/-0.5ppm+/-4.6ppm不适用3.3 Vdc6.4 至 40 MHz-20 至 70C不适用固定频率
    M72 TCXO 系列
    		TCXO系列LVCMOS/Clipped SinewaveSM 5x3.2毫米+/-1.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 至 40 MHz-20 至 70C不适用固定频率


    　　5x7mm 表面贴装型

    零件编号产品类型逻辑系列封装频率稳定性频率容差频率校准电源电压频率范围温度范围拉力范围关键词
    CSB1x系列
    		TCXO系列LVCMOS/Clipped SinewaveSM 5x7mm+/-0.20ppm不适用+/-0.5ppm3.3 Vdc10兆赫、12.68875兆赫、12.688375兆赫、12.688656兆赫、16.367兆赫-40 至 55C不适用Cospas-Sarsat信标 C/S T.001 C/S T.007
    CSB21
    		TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-0.20ppm不适用+/-0.5ppm3.3 Vdc10兆赫、12.68875兆赫、12.688375兆赫、12.688656兆赫、16.367兆赫-20 至 55C不适用Cospas-Sarsat信标 C/S T.001 C/S T.007
    CSB2x系列
    		TCXO系列LVCMOS/Clipped SinewaveSM 5x7mm+/-0.20ppm不适用+/-0.5ppm3.3 Vdc10兆赫、12.68875兆赫、12.688375兆赫、12.688656兆赫、16.367兆赫-20 至 55C不适用Cospas-Sarsat信标 C/S T.001 C/S T.007
    D75A
    		TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-0.28ppm不适用+/-1.0ppm3.3 Vdc10兆赫、12.8兆赫、19.2兆赫、20兆赫0 至 70C不适用IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812选项 IV
    D75AS
    		TCXO系列Clipped SinewaveSM 5x7mm+/-0.25ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc20兆赫0 至 70C不适用IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812选项 IV
    D75F
    		TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-0.5ppm不适用+/-1.0ppm3.3 Vdc13 兆赫、19.44 兆赫、25 兆赫、27 兆赫0 至 70C不适用家庭基站， 测量， 仪器仪表， RTC， G.813Opt 1
    D75J
    		TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-1.0ppm不适用+/-1.0ppm3.3 Vdc38.88兆赫，40兆赫，50兆赫0 至 70C不适用家庭基站， 测量， 仪器仪表， RTC， G.813Opt 1
    DV75C
    		TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-0.28ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc10 Mhz、12.8 MHz、20 MHz、25MHz 和 40MHz-40 至 85C不适用IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812选项 IV
    DV75D
    		TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-1.0ppm不适用+/-1.0ppm3.3 Vdc10 兆赫、12.8 兆赫、20 兆赫-40 至 85C不适用家庭基站， 测量， 仪器仪表， RTC， G.813Opt 1
    T100F
    		TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-100ppb+/-3.0ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc10 MHz、12.8 MHz、14.7456 MHz、19.2 MHz、20 MHz、24.576 MHz、25 MHz、40 MHz 和 50 MHz0 至 70C不适用小基站，G.8262
    T200F
    		TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-200ppb+/-3.0ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc10 MHz、12.8 MHz、14.7456 MHz、19.2 MHz、20 MHz、24.576 MHz、25 MHz、40 MHz 和 50 MHz-40 至 85C不适用小基站，G.8262
    T200FA
    		TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-0.20ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc10.0兆赫-40 至 105C不适用提高性能
    T3x2 TCXO 系列
    		TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 Mhz 至 40 MHz0 至 85C不适用IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812选项 IV
    T3x3 TCXO 系列
    		TCXO系列Clipped SinewaveSM 5x7mm+/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 至 40 MHz0 至 85C不适用IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812选项 IV
    T5x2 TCXO 系列
    		TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 Mhz 至 40 MHz0 至 70C不适用IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812选项 IV
    T5x3 TCXO 系列
    		TCXO系列Clipped SinewaveSM 5x7mm+/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 至 40 MHz0 至 70C不适用IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812选项 IV
    T602
    		TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-0.28ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 Mhz 至 50 MHz-40 至 85C不适用家庭基站， 测量， 仪器仪表， RTC， G.813Opt 1
    T602A
    		TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-0.28ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc10.0MHz 和 24.576MHz-40 至 105C不适用提高性能
    T6x2 TCXO 系列
    		TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 Mhz 至 54 MHz-40 至 85C不适用IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812选项 IV
    T6x3 TCXO 系列
    		TCXO系列Clipped SinewaveSM 5x7mm+/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 至 54 MHz-40 至 85C不适用IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812选项 IV
    T7x2 TCXO 系列
    		TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 Mhz 至 54 MHz-20 至 70C不适用IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812选项 IV
    T7x3 TCXO 系列
    		TCXO系列Clipped SinewaveSM 5x7mm+/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 至 54 MHz-20 至 70C不适用IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812选项 IV
    TA5 系列
    		TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-0.25ppm 至 +/-1.0ppm+/-5.0ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 Mhz 至 40 MHz0 至 70C不适用家庭基站， 测量， 仪器仪表， RTC， G.813Opt 1
    TA6 系列
    		TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-0.25ppm 至 +/-1.0ppm+/-5.0ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 Mhz 至 40 MHz-40 至 85C不适用家庭基站， 测量， 仪器仪表， RTC， G.813Opt 1
    TB602
    		TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-0.28ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc10 Mhz 至 50 MHz-40 至 85C不适用IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812选项 IV
    TCXO-EVAL-T BOARD
    		TCXO系列LVCMOS/HCMOS/正弦波SM 5x7mm不适用不适用不适用3.3 或 5.0 Vdc5x7mm T 系列 TCXO 和 VCTCXO 评估板-40 至 85C不适用STRATUM 3E 层
    TV100F
    		TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-100ppb+/-3.0ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc10 MHz、12.8 MHz、14.7456 MHz、19.2 MHz、20 MHz、24.576 MHz、25 MHz、40 MHz 和 50 MHz0 至 70C不适用IEEE1588，小基站，G.8262
    TV200F
    		TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-200ppb+/-3.0ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc10 MHz、12.8 MHz、14.7456 MHz、19.2 MHz、20 MHz、24.576 MHz、25 MHz、40 MHz 和 50 MHz-40 至 85C不适用IEEE1588，小基站，G.8262
    TV5x2 系列
    		TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 MHz 至 40 MHz0 至 70C不适用IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812选项 IV
    TV5x3 系列
    		TCXO系列Clipped SinewaveSM 5x7mm+/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 MHz 至 40 MHz0 至 70C不适用IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812选项 IV
    TV6x2 系列
    		TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 MHz 至 40 MHz-40 至 85C不适用IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812选项 IV
    TV6x3 系列
    		TCXO系列Clipped SinewaveSM 5x7mm+/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 MHz 至 40 MHz-40 至 85C不适用IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812选项 IV
    TV7x2 TCXO 系列
    		TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 Mhz 至 40 MHz-20 至 70C不适用IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812选项 IV
    TV7x3 TCXO 系列
    		TCXO系列Clipped SinewaveSM 5x7mm+/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 至 40 MHz-20 至 70C不适用IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812选项 IV


    9x14mm 表面贴装型

    零件编号产品类型逻辑系列封装频率稳定性频率容差频率校准电源电压频率范围温度范围拉力范围关键词
    DOT050F 
    		TCXO系列LVCMOS公司SM 9x14mm+/-50ppb+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc10 MHz、12.8 MHz、19.2 MHz、19.44 MHz、20 MHz0 至 70C不适用精密 TCXO
    TFxD5 系列
    		TCXO系列LVCMOS公司SM 9x14mm+/-0.25ppm 至 +/-1.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 MHz 至 100 MHz0 至 70C不适用固定频率
    TFxD6 系列
    		TCXO系列LVCMOS公司SM 9x14mm+/-0.25ppm 至 +/-1.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 MHz 至 100 MHz-40 至 85C不适用固定频率

    　　

    14 针 DIP

    零件编号产品类型逻辑系列封装频率稳定性频率容差频率校准电源电压频率范围温度范围拉力范围关键词
    TX14-xx03T
    		TCXO系列LVCMOS公司14 针 DIP+/-0.28ppm 至 +/-2.5ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc1.0 至 100.0 MHz0 至 70C不适用提高性能
    TX14-xx04T
    		TCXO系列Clipped Sinewave14 针 DIP+/-0.28ppm 至 +/-2.5ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 至 100 MHz0 至 70C不适用提高性能
    TX14-xx07T
    		TCXO系列正弦波14 针 DIP+/-0.28ppm 至 +/-2.5ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 至 100 MHz0 至 70C不适用提高性能
    TX14-xx13T
    		TCXO系列LVCMOS公司14 针 DIP+/-0.28ppm 至 +/-2.5ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc1.0 至 100 MHz-20 至 70C不适用提高性能
    TX14-xx14T
    		TCXO系列Clipped Sinewave14 针 DIP+/-0.28ppm 至 +/-2.5ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 至 100 MHz-20 至 70C不适用提高性能
    TX14-xx17T
    		TCXO系列正弦波14 针 DIP+/-0.28ppm 至 +/-2.5ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 至 100 MHz-20 至 70C不适用提高性能
    TX14-xx23T
    		TCXO系列LVCMOS公司14 针 DIP+/-0.28ppm 至 +/-2.5ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc1.0 至 100 MHz-40 至 85C不适用提高性能
    TX14-xx24T
    		TCXO系列Clipped Sinewave14 针 DIP+/-0.28ppm 至 +/-2.5ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 至 100 MHz-40 至 85C不适用提高性能
    TX14-xx27T
    		TCXO系列正弦波14 针 DIP+/-0.28ppm 至 +/-2.5ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 至 100 MHz-40 至 85C不适用提高性能

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